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Title: Propiedades ópticas lineales y no lineales en pozos cuánticos dobles con alturas de barreras asimétricas en sistemas AlGaN/GaN zincblenda
Authors: Nava Maldonado, Flavio Manuel
Issue Date: 21-Nov-2019
Publisher: Universidad Autónoma de Zacatecas
Abstract: En esta investigación doctoral realizamos el cálculo del coeficiente de absorción y del cambio relativo del índice de refracción lineal y su corrección no lineal, debida al efecto de láser intenso, para un pozo cuántico doble con asimetría en las barreras. El pozo cuántico doble asimétrico está formado por Nitruro de Galio en fase cúbica (c-GaN) en la región de los pozos y por Nitruro de Galio Aluminio, también en su fase cubica, en las barreras con una concentración de aluminio c-AlxGa1−xN. Esta heteroestructura, por la diferencia en sus constantes de red, se encuentra tensionada, así que en este trabajo presentamos un estudio comparativo de las propiedades ópticas de interés con el fin de determinar la importancia de la tensión en el sistema, lo cual se hizo al implementar la Teoría del Sólido Modelo de Van der Walle. La estructura electrónica, una vez considerado el efecto de la tensión en la altura de las barreras, se hace mediante el método de diagonalización usando como base de la expansión la solución al pozo rectangular de barreras infinitas de ancho L, bajo la aproximación de masa efectiva y banda parabólica. Las propiedades ópticas se calculan con expresiones bien establecidas en la literatura que se obtienen mediante el formalismo de la matriz densidad compacta.
Description: In this doctoral research thesis we perform the calculation of the absorption coefficient and the relative refractive index change for the linear and its non-linear correction, due to the intense laser effect, for a double quantum well with asymmetry in the barriers. The asymmetric double quantum well is formed by cubic-phase Gallium Nitride (c-GaN) in the wells regions and by Gallium Aluminum Nitride, also in its cubic-phase, in the barriers with an aluminum concentration c-AlxGa1−xN. This heterostructure, due to the difference in its lattice constants, is strained, so in this work we present a comparative study of the optical properties of interest in order to determine the importance of the strain in the system, this was done when implementing the Van der Walle’s Model-Solid Theory. The electronic structure, once considered the effect of the strain on the height of the barriers, is done by means of the diagonalization method, using the solution for a rectangular well of infinite barriers of width L as the base of the expansion, all the computation was performed under the approximation of effective mass and parabolic band. The optical properties are calculated with well-established expressions in the literature in the frame of the formalism of the compact density-matrix.
URI: http://ricaxcan.uaz.edu.mx/jspui/handle/20.500.11845/2288
Other Identifiers: info:eu-repo/semantics/publishedVersion
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