Subband structure comparison between n- and p-type double delta-doped GaAs quantum wells

Rodríguez Vargas, Isaac; Gaggero Sager, Luís Manuel

dc.contributor	39945	es_ES
dc.contributor.other	https://orcid.org/0000-0003-0087-8991
dc.coverage.spatial	Global	es_ES
dc.creator	Rodríguez Vargas, Isaac
dc.creator	Gaggero Sager, Luís Manuel
dc.date.accessioned	2018-08-13T16:12:35Z
dc.date.available	2018-08-13T16:12:35Z
dc.date.issued	2004-12
dc.identifier	info:eu-repo/semantics/publishedVersion	es_ES
dc.identifier.issn	0035-001X	es_ES
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/20.500.11845/630
dc.identifier.uri	https://doi.org/10.48779/nxz2-rc70
dc.description	We compute the electron level structure (n-type) and the hole subband structure (p-type) of double ±-doped GaAs (DDD) quantum wells, considering exchange effects. The Thomas-Fermi (TF), and Thomas-Fermi-Dirac (TFD) approximations have been applied in order to describe the bending of the conduction and valence band, respectively. The electron and the hole subband structure study indicates that exchange effects are more important in p-type DDD quantum wells than in n-type DDD. Also our results agree with the experimental data available.	es_ES
dc.description.abstract	Calculamos la estructura de niveles electrónicos (tipo-n), as´ı como la de huecos (tipo-p) de pozos cuánticos ±-dopados dobles (DDD) en GaAs. Se han tomando en cuenta los efectos de intercambio en el estudio. Las aproximaciones de Thomas-Fermi (TF) y Thomas-Fermi-Dirac (TFD) han sido implementadas para describir el doblamiento de la banda de conducci´on y de valencia respectivamente. El estudio de la estructura de niveles electr´onicos y de huecos revela que los efectos de muchos cuerpos son más importantes en los pozos DDD tipo-p que en los DDD tipo-n. De la misma manera nuestros resultados están en buen acuerdo con los datos experimentales disponibles.	es_ES
dc.language.iso	eng	es_ES
dc.publisher	Sociedad Mexicana de Física, A.C.	es_ES
dc.relation	http://www.scielo.org.mx/pdf/rmf/v50n6/v50n6a10.pdf	es_ES
dc.relation.uri	generalPublic	es_ES
dc.rights	Atribución-NoComercial-CompartirIgual 3.0 Estados Unidos de América	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/us/	*
dc.source	Revista mexicana de física, Vol. 50, No 6, Pág. 614–619	es_ES
dc.subject.classification	CIENCIAS FISICO MATEMATICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA [1]	es_ES
dc.subject.other	Pozos ±-dopados	es_ES
dc.subject.other	estructura electrónica	es_ES
dc.subject.other	efectos de muchos cuerpos	es_ES
dc.title	Subband structure comparison between n- and p-type double delta-doped GaAs quantum wells	es_ES
dc.type	info:eu-repo/semantics/article	es_ES