Caracterización de transistores de efecto de campo de compuerta extendida sobre superficies de Au para la detección electroquímica de Virus del papiloma humana serotipo 16, por voltamperometría de pulso differencial

Abstract

Los estudios epidemiológicos han demostrado que la infección por virus del papiloma humano (VPH) con tipos de alto riesgo, predominantemente del serotipo 16, se asocia con casi el 100% de los casos de cáncer de cuello uterino [1]. En el presente trabajo se realizaron análisis electroquímicos sobre el Transistor de Efecto de Campo (FET) comercial BSS138 de Fairchild Semiconductor® en configuración de compuerta extendida (EGFET) aplicados a la detección de sondas sintéticas inmovilizadas de ADN correspondientes al Virus del Papiloma Humano del serotipo 16 (VPH-16) sobre electrodos impresos de Au para su aplicación en un genosensor, cuya función sea la detección temprana del virus mediante métodos electroquímicos, analizados mediante voltamperometría de pulso diferencial (VPD) para evaluar los cambios de potencial. El método propuesto en este trabajo es capaz de detectar concentraciones de cadenas complementarias correspondientes al VPH-16, menores a 40nM y con un límite de detección de 3nM.